Польові транзистори

Польовий транзистор є напівпровідниковим аналогом електровакуумного тріода. Подаючи на сітку вакуумного тріода слабкий електричний струм, можна ефективно впливати на електронний потік, т. Е. Управляти опором лампи. Це основна властивість тріода і дозволяє застосовувати його в радіоелектроніці.
Польові канальні транзистори мають суттєві пре майна, до яких насамперед належать: великий вхідний опір приладів (1010-1015 Ом), більша стійкість до проникаючим випромінюванням (допускається рівень випромінювань, на три чверті порядку більший, ніж для біполярних транзисторів), малий рівень власних шумів, малий вплив температури на підсилювальні властивості.
Виготовляють польові транзистори двох типів: з затвором у вигляді p – n-переходу і з ізольованим затвором.
Пристрій транзистора з затвором у вигляді p – n-переходу схематично показано на малюнку 25.

Основу приладу складає слаболегірованних напівпровідникова пластина p-типу, до торців якої докладено напруга Uс, що створює струм Iс через опір навантаження Rс. У напівпровідниковій пластині цей струм забезпечується рухом основних носіїв заряду. Торець пластини, від якого рухаються носії заряду, називається витоком. Торець, до якого рухаються носії заряду, – стоком. У дві протилежні бічні поверхні основний p-пластини вплавлени пластинки типу n. На межі розділу пластин n і p виникають електронно-діркові переходи. До цих переходах в непроводящем напрямку докладено вхідна напруга Uвх. Значення Uвх можна міняти при обов’язковому збереженні зазначеної на малюнку полярності.
Зазвичай u складається з двох складових: змінної напруги керуючого сигналу і постійної складової початкового зсуву, значення якої перевищує амплітуду сигналу. Пластини n-типу утворюють затвор. При зазначеної полярності напруги на затворі навколо цих пластин утворюється шар, збіднений носіями заряду і, отже, має малу провідність.
Між збідненими шарами зберігається канал з високою провідністю.
Принцип дії польового транзистора заснований на зміні ширини збідненого шару при зміні зворотної напруги р – n-переходу. Зі збільшенням напруги на затворі ширина збіднених шарів збільшується, а поперечний переріз каналу і його провідність зменшуються.


1 Star2 Stars3 Stars4 Stars5 Stars (1 votes, average: 5.00 out of 5)

Польові транзистори